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PH20100S中文资料

PH20100S图片

PH20100S外观图

  • 大小：83.13KB
  • 厂家：PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述：N-channel TrenchMOS standard level FET
  • 典型关断延迟时间：47 ns
  • 典型接通延迟时间：23 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：39 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：2264 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：4.1mm
  • 封装类型：LFPAK
  • 尺寸：5 x 4.1 x 1.1mm
  • 引脚数目：5
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：62500 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：100 V
  • 最大漏源电阻值：0.023
  • 最大连续漏极电流：34.3 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单、三源
  • 长度：5mm
  • 高度：1.1mm

PH20100S供应商

更新时间:2023-01-27 21:27:54
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